Кт3102 цоколевка аналог. КТ315: аналоги в мире. Как отличить транзистор кт315 от кт361 Как работает кт315

16.03.2024

В выходной день, решил собрать видеоусилитель для своей игровой приставки Dendy, для улучшения качества видео изображения. Схема довольно простая, и насчитывает не больше десятка радиодеталей. Собрана она, на очень распространённых советских транзисторах, визуально очень похожих, читаем полезную статью, как отличить транзистор кт315 от кт361 ?

Немого о транзисторах кт315 и кт361

Одни из самых распространенных высокочастотных транзисторов, изготавливаемые из кремния, запасы которого, на нашей планете, весьма впечатляющие. КТ 315, имеет проводимость n-p-n, кт 361 имеет противоположенную. Их объединяет тип корпуса, кт 13, и очень часто, эти биполярные транзисторы используются в паре. Получили огромное распространение в отечественной электронике, в схемах усиления и преобразования.

Как отличить кт315 от кт361

Как правило, данные транзисторы выпускаются в пластиковом корпусе, нескольких цветовых вариантах, желтые, красные, коричневые. Для их сличения, располагаем их маркировкой к себе. Смотрим на маркировку, точнее на её расположение, на корпусе транзистора.

Для определения транзистора кт315, на его корпусе будет отпечатана буква, размещаться она будет, в левой его части сверху. У кт361, буква будет расположена строго по центру.
Цоколёвка у них будет одинаковая, в данной последовательности, эмиттер, коллектор, база.

Транзистор – полупроводниковый элемент электрический цепи, управляемый входным сигналом. В качестве сигнала может использоваться как привычный электрический ток , но и, например, свет в работе фототранзистора.

Транзистор КТ3102 – это популярнейший советский биполярный транзистор, который применялся и применяется по сей день в схемах различных усилителей сигнала: операционных усилителях, дифференциальных и УНЧ (усилитель низкой частоты). КТ3102, за счёт маленькой толщины базы, усиливал сигнал по току в тысячи раз. Изготавливается из кремния, чаще всего методом эпитаксии (наращивание на новых полупроводниковых слоёв на кремниевой подложке).

Транзистор КТ3102 изначально чаще всего изготавливался в металлическом цилиндрическом корпусе, привычном для многих советских транзисторов. На данный момент, он изготавливается в пластиковом корпусе. Является комплементарной парой для КТ3107.

Принцип работы прибора заключается в управлении током за счёт изменения напряжения. Чтобы элемент начал работать, к нему нужно приложить напряжение. Тогда прибор откроется. Изменяя напряжение базы, мы управляем всем элементом.

Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102:

Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа .

U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
I КБ – обратный ток коллектора.
К Ш – коэффициент шума.

Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.

Тип	U КБ и U КЭ, В	H 21 Э	I КБ, МкА	К Ш, Дб	Аналог КТ3102
КТ3102А(АМ)	50	100-250	0,05	10	2 N 4123
КТ3102Б(БМ)	50	200-500	0,05	10	2N2483
КТ3102В(ВМ)	30	200-500	0,15	10	2SC828
КТ3102Г(ГМ)	20	400-1000	0,15	10	BC546C
КТ3102Д(ДМ)	30	200-500	0,15	4	BC547B
КТ3102Е(ЕМ)	20	400-1000	0,15	4	BC547C
КТ3102Ж(ЖМ)	50	100-250	0,05	-	-
КТ3102И(ИМ)	50	200-500	0,05	-	-
КТ3102К(КМ)	20 и 30	200-500	0,15	-	-

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n - p - n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения:

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Один из самых известных транзисторов - КТ315, аналог которого нескоро появился на просторах Советского Союза, и который был первым массовым советским транзистором. Он настолько универсален, что его продолжают использовать до сих пор (хоть и довольно ограниченно и по большей части радиолюбители). Предпосылкой к этому стала их универсальность, длительное время эксплуатации и наличие огромного опыта создания чего-то с их помощью (с которым можно ознакомиться в специальных источниках).

Разработка

Идеей массового выпуска советские инженеры загорелись ещё в 1966 году. Разработан транзистор был в 1967 году Фрязинским полупроводниковым заводом в его исследовательско-конструкторском бюро. А в 1968-м сошли первые единицы.

Чем он выделяется среди других транзисторов

В первую очередь обращали внимание на его внешний вид и характеристики. Планка частотности составляла 250 МГц, что по состоянию на 1967 год было очень и очень много. Также легкость производства обусловила выпуск огромного количества транзисторов. Было в нём и кое-что уникальное (на то время) и в вопросах заземления минусового полюса питания.

Технология, которая положена в основу транзистора

Для производства применялась планарная технология (было предусмотрено, что все структуры создаются на одном боку, проводимость материала - как в коллекторах, поэтому сначала при использовании формируется базовая область, а потом в ней - эмиттерная). Параметры, которые были получены им, сделали его самым лучшим в мире (на момент создания). Он позволил заменить много других деталей в электронике, при этом был дешевым. Доходило до того, что в Советском Союзе в магазинах для радиолюбителей его продавали на вес.

КТ315 - аналоги отечественные и зарубежные

Но так как главной темой статьи является не КТ315 - аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:

Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность - 0,25. На направление "коллектор-база" может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер - до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока - 200.
Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер - 40 Вольт. Эмиттер-база - всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода - 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока - 90.
Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 - аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае - слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода - 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность - 0,1. Напряжение на направлении коллектор - база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор - эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер - база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода - 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Где они применяются

КТ315, аналоги (зарубежные и отечественные) использовались и сейчас используются радиолюбителями при создании усилителей высоких, средних и низких частот . Также они могут быть применены в генераторах, преобразователях сигналов и логических схемах. Если напрячь мозги, можно найти и другое применение, но это основное предназначение для КТ315. Параметры аналог (любой) имеет немного иные. Но главное, что это биполярные транзисторы, и их мощность важна исключительно для мощностей схем, которые будут собраны.

Заключение

В статье был рассмотрен прототип (КТ315) и его аналоги с описанием возможностей их использования. Остаётся надеяться, что предоставленная здесь информация будет вам полезна. Также необходимо напомнить, что транзисторы являются довольно хрупкими элементами, которые к тому же часто перегорают. Поэтому при работе с ними, да и с другими деталями электротехники, соблюдайте технику безопасности.

Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТ3102БМ.

Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов (золота, серебра, платины и МПГ) в транзисторе с указанием его веса которые используются (или использовались) при производстве в радиотехнике.

Транзистор (англ. transistor), полупроводниковый триод - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи . Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора - изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин - BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то управлять выходным током. Во-вторых, у них предполагается наличие трех контактов. И в-третьих, в основе их работы лежит p-n переход. Что нам на это скажут официальные источники?

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля .

Определение не только подтвердило наши предположения, но и продемонстрировало особенность полевых транзисторов - управление выходным током происходит посредством изменения приложенного электрического поля, т.е. напряжения. А вот у биполярных транзисторов , как мы помним, выходным током управляет входной ток базы.

Еще один факт о полевых транзисторах можно узнать, обратив внимание на их другое название - униполярные . Это значит, что в процессе протекания тока у них участвует только один вид носителей заряда (или электроны, или дырки).

Три контакта полевых транзисторов называются исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители). Структура кажется простой и очень похожей на устройство биполярного транзистора. Но реализовать ее можно как минимум двумя способами. Поэтому различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором .

Схема транзистора и схемы включения транзистора.

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током базы - это одна из разновидностей смещения транзистора).
2 Каскад с общим коллектором
3 Каскад с общей базой

Параметры транзисторов
UКБО - максимально допустимое напряжение коллектор - база;
UКБО и - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база;
UКЭО - максимально допустимое напряжение коллектор - эмиттер;
UКЭО и - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;
UКЭН - напряжение насыщения коллектор - эмиттер;
UСИ max - максимально допустимое напряжение сток - исток;
UСИО - напряжение сток - исток при оборванном затворе;
UЗИ max - максимально допустимое напряжение затвор - исток;
UЗИ отс - Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока дости-гает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом , и с изолированным затвором);
UЗИ пор - Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых тран-зисторов с изолированным затвором и п-каналом);
IK max - максимально допустимый постоянный ток коллектора;
IK max и - максимально допустимый импульсный ток коллектора;
IC max - максимально допустимый постоянный ток стока;
IC нач - начальный ток стока;
IC ост - остаточный ток стока;
IКБО - обратный ток коллектора;
РК max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;
РК max т - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
РСИ max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток - исток;
H21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;
RСИ отк - сопротивление сток - исток в открытом состоянии;
S - крутизна характеристики;
fГР. - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
КШ - коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Схемы включения транзистора

Для включения в схему транзистор должен иметь четыре вывода - два входных и два выходных. Но транзисторы всех разновидностей имеют только три вывода. Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора:
Схемы включения биполярного транзистора

с общим эмиттером (ОЭ) - осуществляет усиление как по току, так и по напряжению - наиболее часто применяемая схема;
с общим коллектором (ОК) - осуществляет усиление только по току - применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок;
с общей базой (ОБ) - усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко (в основном в усилителях СВЧ), обычно в составных схемах (например, каскодных).

Схемы включения полевого транзистора

Полевые транзисторы , как с p-n переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения:

с общим истоком (ОИ) - аналог ОЭ биполярного транзистора;
с общим стоком (ОС) - аналог ОК биполярного транзистора;
с общим затвором (ОЗ) - аналог ОБ биполярного транзистора.

Схемы с открытым коллектором (стоком)

«Открытым коллектором (стоком)» называют включение транзистора по схеме с общим эмиттером (истоком) в составе электронного модуля или микросхемы, когда коллекторный (стоковый) вывод не соединяется с другими элементами модуля (микросхемы), а непосредственно выводится наружу (на разъем модуля или вывод микросхемы). Выбор нагрузки транзистора и тока коллектора (стока) при этом оставляется за разработчиком конечной схемы, в составе которой применяются модуль или микросхема. В частности, нагрузка такого транзистора может быть подключена к источнику питания с более высоким или , чем напряжение питания модуля/микросхемы. Такой подход значительно расширяет рамки применимости модуля или микросхемы за счет небольшого усложнения конечной схемы. Транзисторы с открытым коллектором (стоком) применяются в логических элементах ТТЛ, микросхемах с мощными ключевыми выходными каскадами, преобразователях уровней, шинных формирователях (драйверах) и т. п.

Реже применяется обратное включение - с открытым эмиттером (истоком). Оно также позволяет выбирать нагрузку транзистора после изготовления основной схемы, подавать на эмиттер/сток напряжение полярности, противоположной напряжению питания основной схемы (например, отрицательное напряжение для схем с биполярными транзисторами n-p-n или N-канальными полевыми), и т.п.

Маркировка транзисторов - Цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Кодовая маркировка даты выпуска приборов
Год Кодированное обозначение
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 С
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

Месяц Кодированное обозначение
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь 0
Ноябрь N
Декабрь D

Цветовая кодировка группы
Группа Цветная точка сверху
А Темно-красная
Б Желтая
В Темно-зеленая
Г Голубая
Д Синяя
Е Белая
Ж Темно-коричневая
И Серебристая
К Оранжевая
Л Светло-табачная
М Серая

Цоколевка транзисторов

При подборе аналогов деталей по схемам, всегда возникает вопрос правильного их монтажа на печатной плате . Цоколевка (распиновка) транзисторов. Вот сейчас хочу описать и выложить на одной странице цоколевки (распиновки) всех отечественных транзисторов, чтобы Вас вопрос расположения ножек транзисторов не вводило в заблуждение.

Транзисторы справочник - корпуса транзисторов

транзисторы справочник - корпуса транзисторов

Принцип работы Транзистора

В настоящее время находят применение транзисторы двух видов - биполярные и полевые. Биполярные транзисторы появились первыми и получили наибольшее распространение. Поэтому обычно их называют просто транзисторами. Полевые транзисторы появились позже и пока используются реже биполярных.

Биполярными транзисторы называют потому, что электрический ток в них образуют электрические заряды положительной и отрицательной полярности. Носители положительных зарядов принято называть дырками, отрицательные заряды переносятся электронами. В биполярном транзисторе используют кристалл из германия или кремния - основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления транзисторов и диодов. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие - : германиевыми. Для обоих разновидностей биполярных транзисторов характерны свои особенности, которые обычно учитывают при проектировании устройств.

куплю транзисторы, транзистор цена

Если у вас есть больше информации о трансформаторе КТ3102БМ сообщите ее нам мы бесплатно разместим ее на сайте.

Фото транзистор КТ3102БМ:

Характеристики транзистор КТ3102БМ:

Купить или продать а также цены на транзистор КТ3102БМ (куплю транзисторы, транзистор цена):

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже

Пожалуй, нет какого-то более или менее сложного электронного устройства, произведенного в СССР на протяжении семидесятых, восьмидесятых и девяностых годов, в схеме которого не использовался бы транзистор КТ315. Не утратил популярности он и поныне.

В обозначении использована буква К, означающая «кремниевый», как и большинство полупроводниковых приборов, изготавливаемых с тех времен. Цифра «3» означает, что транзистор КТ315 относится к группе широкополосных приборов небольшой мощности.

Пластиковый корпус не предполагал высокой мощности, но был дешев.

Выпускался транзистор КТ315 в двух вариантах, плоском (оранжевый или желтый) и цилиндрическом (черный).

Для того чтобы удобнее было определять, как его монтировать, на его «лицевой» стороне в плоской версии выполнен скос, коллектор - в середине, база - слева, коллектор - справа.

Черный транзистор имел плоский срез, если расположить транзистор им к себе, то эмиттер оказывался справа, коллектор - слева, а база - посередине.

Маркировка состояла из буквы, в зависимости от допустимого напряжения питания, от 15 до 60 Вольт. От литеры зависит и мощность, она может достигать 150 мВт, и это при микроскопических по тем временам размерах - ширина - семь, высота - шесть, а толщина - менее трех миллиметров.

Транзистор КТ315 - высокочастотный, этим объясняется широта его применения. до 250 мГц гарантирует его устойчивую работу в радиосхемах приемников и передатчиков, а также усилителях диапазона.

Проводимость - обратная, n-p-n. Для пары при использовании двухтактной схемы усиления создан КТ361, с прямой проводимостью. Внешне эти «близнецы-братья» практически не отличаются, только наличие двух черных рисок указывает на p-n-p проводимость. Еще вариант маркировки, буква расположена точно посередине корпуса, а не с краю.

При всех своих достоинствах, транзистор КТ315 обладает и недостатком. Его выводы плоские, тонкие, и очень легко отламываются, поэтому монтаж следует производить очень осторожно. Впрочем, даже испортив деталь, многие радиолюбители умудрялись починить ее, подпилив немного корпус, и «присоплив» проволочку, хотя это и трудно, да и смысла особого не было.

Корпус настолько своеобразен, что точно указывает на советское происхождение КТ315. Аналог ему найти можно, например, ВС546В или 2N9014 - из импорта, КТ503, КТ342 или КТ3102 - из наших транзисторов, но рекордная дешевизна лишает смысла такие ухищрения.

Выпущены миллиарды КТ315, и, хотя в наше время существуют микросхемы, в которых встроены десятки и сотни таких полупроводниковых приборов, иногда их все же используют для сборки несложных вспомогательных схем.

Хоть я и опоздал на день Радио - но о КТ315 я все-же напишу. Этот транзистор видели и паяли многие, но сегодня мы увидим, чем отличаются КТ315 выпущенные в разные годы, какова его конструкция, и сравним его конструкцию с современными зарубежными аналогами.

О производстве

КТ315 - первый транзистор, произведенный по последнему писку моды конца 60-х годов - это планарно-эпитаксиальной транзистор, т.е. коллектор, эмиттер и база изготовляются последовательно на одной пластине кремния: берется пластина кремния, легированная в тип n (это будет коллектор), затем выполняется легирование на некоторую глубину в тип p (это будет база), и затем - сверху еще раз легирование на меньшую глубину в тип n (это будет эмиттер). Далее пластину нужно разрезать на кусочки, и упаковать в пластиковый корпус.

Такой процесс изготовления был намного дешевле сплавной технологии, и позволял получать немыслимые ранее параметры транзистора (в частности, рабочая частота 250-300 МГц).

Следующая новизна, приведшая к удешевлению производства - монтаж кристалла не в металлический корпус, а на металлическую ленту с выводами: кристалл, на нижней стороне которого коллектор припаивался к центральному выводу, а база и эмиттер - подключались привариваемой проволокой. Затем все это заливалось пластиком, лишние детали ленты отрезались - и получался КТ315 таким, каким мы привыкли его видеть.

Пояснения к рисунку справа: а - скрайбирование и разделение пластины на кристаллы с готовыми структурами; б - пайка кристаллов к ленте; в - присоединение вывода; г - обрезка ленты; д - герметизация; е - извлечение из формы; ж - обрезка ленты и разделение диодов/транзисторов; 1 - лента; 2 - кристалл; 3 - вывод кристалла

Серийное производство началось в 1967-1968 годах, для простых смертных цена по началу составляла 4 рубля за транзистор. Но уже в середине 70-х она опустилась до 15-20 копеек, что и сделало его по настоящему доступным транзистором. При зарплате инженера в 120 рублей - можно было купить 600 транзисторов в месяц. К слову, сейчас за условную зарплату инженера в 45тыс рублей можно купить 121"000 транзисторов BC856B, так что транзисторный уровень жизни инженера вырос в 201 раз

Примечательно, что первые приборы, собранные на КТ315 - транзисторные (микросхемы только набирали обороты) «калькуляторы» Электроника ДД и Электроника 68 .

Вот такое собрание обнаружилось у меня:

Те, где отсутствует знак завода изготовителя - это КТ361, pnp вариант. Остальные, с логотипом - КТ315 (даже если «буква по центру»). Примечательно, что во времена плановой экономики, фиксированных цен, и формального отсутствия спекуляции - цену иногда писали прямо на транзисторах.

Что же внутри?

Самый старый транзистор, который у меня нашелся - КТ315А, выпущенный в марте 1978 года.
Видим, что кристалл отломан от пластины далеко не идеально, вокруг транзистора - много неиспользуемого места.

Здесь сам кристалл - это коллектор, в центре, если я не ошибаюсь - кружек базы, и вокруг него - более широкий «пояс» эмиттера. База как-бы подныривает под эмиттер, и выходит с обратной стороны кольца.

Тут сразу видно, что место расходуется гораздо экономнее, кристалл отрезан практически идеально, заметны небольшие не критические дефекты фотолитографии, видимо тут все еще используется контактная фотолитография. Впрочем, для транзисторов этого вполне достаточно.

Сравнение

Если сравнить в масштабе с современным транзистором NXP BC847B , то видно что размер удалось уменьшить еще раза в 2 за счет «оквадрачивания», но сам транзистор принципиально не изменился - тот же коллектор на «дне» кристалла, и приваренные проволокой выводы эмиттера и базы.

Примечательно, что у BC847 ширина/высота кристалла практически равна толщине пластины, это уже практически кремниевый кубик, а не пластинка. Уменьшать площадь дальше затруднительно, по крайней мере без дальнейшего утонения пластины (утонение пластины - написано правильно).

Будущее

Умер ли КТ315? Определенно нет. До сих пор он есть например в прайс-листах Интеграла по 248 Белорусских рублей (~1 Российский рубль), т.е. вероятно все еще в производстве. Конечно, с развитием автоматического монтажа печатных плат ему пришлось уступить дорогу SMD-вариантам, например КТ3129 и КТ3130 и многим другим, в том числе и зарубежным аналогам BC846-BC848, BC856-BC858.

Разработка

Чем он выделяется среди других транзисторов

Технология, которая положена в основу транзистора

КТ315 - аналоги отечественные и зарубежные

Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность - 0,25. На направление "коллектор-база" может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер - до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока - 200.
Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер - 40 Вольт. Эмиттер-база - всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода - 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока - 90.
Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 - аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае - слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода - 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность - 0,1. Напряжение на направлении коллектор - база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор - эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер - база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода - 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Где они применяются

КТ315, аналоги (зарубежные и отечественные) использовались и сейчас используются радиолюбителями при создании усилителей высоких, средних и низких частот. Также они могут быть применены в генераторах, преобразователях сигналов и логических схемах. Если напрячь мозги, можно найти и другое применение, но это основное предназначение для КТ315. Параметры аналог (любой) имеет немного иные. Но главное, что это биполярные транзисторы, и их мощность важна исключительно для мощностей схем, которые будут собраны.